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据日本日本冲绳科技进步大学院大学（OIST）官方网站最新数据，该学校设计了一种极紫外（EUV）光刻工艺，远远超过了半导体材料制造业规范界线。鉴于此定制的光刻设备可采取较小的EUV灯源，其功能损耗还不足传统式EUV光刻机的十分之一，因此控制成本并大幅度提高设备的稳定性和使用期限。
在以往光学元件中，比如相机、望眼镜与传统的紫外光光刻工艺，焦距和镜片等光电器件以中心对称方法排列在一条直线上。此方法并不适用于EUV放射线，因为它们的光波长非常短，大部分能被原材料消化吸收。因而，EUV光应用月牙形浴室镜子正确引导。但是这又会导致光源偏移旋转轴，进而放弃极为重要的光学性质并减少系统整体性能。
为解决这一问题，新光刻工艺可以将2个具备细微定位孔的中心对称浴室镜子排列在一条直线上来发挥其光学性质。
因为EUV消化吸收率极高，每一次镜子反射，动能就会减弱40%。依照国家标准，只有大约1%的EUV灯源动能根据10面反射镜片最终到达单晶硅片，这就意味着必须很高的EUV光输出。
比较之下，将EUV灯源到单晶硅片的反射镜片限制为一共4面，就能获得超出10%能量可以穿透到单晶硅片，显著降低了功能损耗。
新EUV光刻工艺的关键投影机能把光掩膜图象转移至单晶硅片上，它是由2个反射镜片构成，如同光学望远镜一样。精英团队称，这类配备简易得令人无法想象，因为传统投影机最少要6个反射镜片。但是这是根据重新审视电子光学像差校准基础理论而实现的，使用性能已经通过电子光学模拟仿真软件认证，可确保达到先进半导体生产。精英团队因此设计方案一种名为“多线场”的新式照明灯具电子光学方式，此方法应用EUV单从正脸直射平面镜光掩膜，也并不会影响激光光路。
